SGP10N60RUFDTU价格

参考价格:¥8.6590

型号:SGP10N60RUFDTU 品牌:Fairchild 备注:这里有SGP10N60RUFDTU多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SGP10N60RUFDTU批发/采购报价,SGP10N60RUFDTU行情走势销售排行榜,SGP10N60RUFDTU报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SGP10N60RUFDTU

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 16A TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a

UTC

友顺

N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件:2.17857 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:2.33382 Mbytes Page:11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:976.2 Kbytes Page:11 Pages

WXDH

东海半导体

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:330.13 Kbytes Page:8 Pages

UTC

友顺

SGP10N60RUFDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGP10N60RUFDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-16 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Freescale(飞思卡尔)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
Onsemi
22+
TO-220-3
2000
安森美现货库存,终端可送样
ON/安森美
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
FAIRCHILD
25+23+
TO220
37309
绝对原装正品全新进口深圳现货
三年内
1983
只做原装正品
ON/安森美
2410+
TO-220
12000
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.
ON/安森美
24+
TO-220
4500
只做原装只有原装假一罚百可开增值税票
FAIRCHILD/仙童
24+
PG-TO220
52500
郑重承诺只做原装进口现货
24+
3000
自己现货

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