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SGL60N90DG3YDTU

封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 包装:管件 描述:IGBT 900V 60A 180W TO264 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

General Description

General Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with a trench gate structure provide superior conduction and switching performance in comparison with transistors having a planar gate structure. They also have wide noise immunity. These devices are very suitable for induction h

Fairchild

仙童半导体

SGL60N90DG3YDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGL60N90DG3YDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 900V/60A/wFRD TO-264

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-18 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SIGMA希格玛
24+
NA/
3300
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24+
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绝对原厂原装,长期优势可定货
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20000
原装正品
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FAIRCHILD/仙童
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TO-264
42000
只做原装进口现货

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