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MICROWAVE POWER GaN HEMT

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT ・HIGH POWER Pout= 48.0dBm at Pin= 41dBm ・HIGH GAIN GL= 11.5dB at Pin= 20dBm ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc(Min.) at Pout= 29dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 48.0dBm at 7.7GHz to 8.5GHz ・HIGH GAIN G1dB= 7.5dB at 7.7GHz to 8.5GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN.)= -25dBc at Pout= 41dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaAs FET

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-9-25 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AMI
24+
NA/
3565
原装现货,当天可交货,原型号开票
HALO
2016+
SOP
8850
只做原装,假一罚十,公司专营变压器,滤波器!
ATC
24+
SMD
990000
明嘉莱只做原装正品现货
SMD
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
TRIQUINT
三年内
1983
只做原装正品
HALO
1736+
SOP
15238
原厂优势渠道
AMI
23+
PLCC
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
TRIQUINT
638
原装正品
TOSHIBA
24+
SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
TE/泰科
2508+
/
484664
一级代理,原装现货

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