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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGH15N60RUFTU | 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 24A 160W TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
15Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC15N60isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecostumerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypu | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.0671 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
15A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：185.37 Kbytes Page：6 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
HighSwitchingSpeed 文件：49.33 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
CoolMOSPowerTransistor 文件：543.38 Kbytes Page：12 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
SGH15N60RUFTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGH15N60RUFTU
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V/15A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild |
22+23+ |
TO-3P |
30497 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
Fairchild仙童 |
22+ |
TO-3P |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
3000 |
自己现货 |
||||||
FCS |
2020+ |
TO-3P |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
Fairchild仙童 |
22+ |
TO-3P |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
Fairchild仙童 |
24+ |
TO-3P |
12300 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
Fairchild/ON |
23+ |
TO3P |
8000 |
只做原装现货 |
|||
FAIRCHILD |
22+ |
35000 |
OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
||||
Fairchild/ON |
22+ |
TO3P |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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