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位置：首页 > IC中文资料第4088页 > SGF80N60UF

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SGF80N60UF

Ultra-FastIGBT

GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •LowSa

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
SGF80N60UFTU

封装/外壳：TO-3P-3 整包 包装：管件 描述：IGBT 600V 80A 110W TO3PF 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
FGH80N60FD

600V,80AFieldStopIGBT

GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforinductionheating,telecom,ESSandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGH80N60FDTU

DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION

Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
FGH80N60FDTU

600V,80AFieldStopIGBT

GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforinductionheating,telecom,ESSandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
80N60A

HiPerFASTIGBT

文件：41.32 Kbytes Page：2 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
80N60B

HighCurrentIGBT

文件：45.33 Kbytes Page：2 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

SGF80N60UF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGF80N60UF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Discrete Hi-P IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

SGF80N60UF供应商更多...

更新时间：2024-6-6 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
SGF80N60UFTU
onsemi(安森美)
23+
TO-3PF
1160
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深圳市得捷芯城科技有限公司
SGF80N60UFG80N60UF
FAIRCHILD/仙童
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深圳市威雅利发展有限公司
SGF80N60UFTU
ON
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TO-3PF
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SGF80N60UFG80N60UF功率三极管
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TO3PF
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SGF80N60UFTU
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1983
纳立只做原装正品13590203865
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深圳市弘扬芯城科技有限公司
SGF80N60UFTU
onsemi(安森美)
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TO3PF3
6000
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深圳市赛美科科技有限公司
SGF80N60UFTU
FAIRCHILD
TO-3PF
9500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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深圳市跃创芯科技有限公司
SGF80N60UF
FAIRCHILD/仙童
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TO-3PF
25000
只做原装进口现货,专注配单
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SGF80N60UF其他被动元件
FAIRCHILD/仙童
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TO-3PF
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
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深圳廊盛科技有限公司
SGF80N60UFTU
ON/安森美
2022
TO-3PF
80000
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