位置：首页 > IC中文资料第3711页 > SGF15N60RUFD
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGF15N60RUFD | ShortCircuitRatedIGBT 文件：671.52 Kbytes Page：8 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   |
15Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC15N60isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecostumerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypu | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.0671 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
15A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：185.37 Kbytes Page：6 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
HighSwitchingSpeed 文件：49.33 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
CoolMOSPowerTransistor 文件：543.38 Kbytes Page：12 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
SGF15N60RUFD产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGF15N60RUFD
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V/15A/w/FRD
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
N/A |
58600 |
一级代理放心采购 |
||||
JST |
2022.08 |
NA |
1680 |
现货!就到京北通宇商城 |
|||
FAIRC |
2020+ |
TO-3PF |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
FAIRC |
2023+ |
TO-3PF |
16800 |
芯为只有原装,公司现货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-3PF |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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西格玛微 |
TO-220 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
SGF |
23+ |
TO-220 |
6500 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-3PF |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
23+ |
N/A |
58600 |
一级代理放心采购 |
||||
JST |
2022 |
连接器 |
10000 |
全新、原装 |
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SGF15N60RUFD规格书下载地址
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