型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

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ONSEMI

安森美半导体

Ignition IGBT

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ONSEMI

安森美半导体

SGB8206ANTF4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGB8206ANTF4G

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 IGBT 20A, 350V, N-CH

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-6 22:58:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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