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Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

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ONSEMI

安森美半导体

Ignition IGBT

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ONSEMI

安森美半导体

SGB8206ANT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGB8206ANT4G

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 IGBT 20A, 350V, N-CH

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
42983
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ON
2016+
TO263
42983
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
ON/安森美
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
ON
24+
TO263
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
ON/安森美
23+
TO263
32732
原装正品代理渠道价格优势
LITTELFUSE
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
Littelfuse Inc.
23+
D2PAK
9000
原装正品,支持实单
三年内
1983
只做原装正品
ON
23+
TO263
8000
只做原装现货
ON
SOT-263
30216
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S

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