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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,33A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,33A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

PrecisionPotentiometer/PositionSensor

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BITECH

瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司

BITECH

0.5ADualUSBHigh-SidePowerSwitch

文件:222.45 Kbytes Page:9 Pages

AIC

AIC

AIC

High-SpeedUSB2.0(480Mbps)DPDTSwitch

文件:518.88 Kbytes Page:10 Pages

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
更新时间:2024-6-14 19:03:01
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