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SFT14晶体管资料

SFT141别名：SFT141三极管、SFT141晶体管、SFT141晶体三极管
SFT141生产厂家：
SFT141制作材料：Ge-PNP
SFT141性质：低频或音频放大（LF）
SFT141封装形式：直插封装
SFT141极限工作电压：45V
SFT141最大电流允许值：0.25A
SFT141最大工作频率：<1MHZ或未知
SFT141引脚数：3
SFT141最大耗散功率：0.2W
SFT141放大倍数：β=32
SFT141图片代号：C-36
SFT141vtest：45
SFT141htest：999900
SFT141atest：0.25
SFT141wtest：0.2

SFT141代换 SFT141用什么型号代替：3AX55C,

SFT14价格

参考价格：￥0.7800

型号：SFT1407-S-TL-E 品牌：SANYO 备注：这里有SFT14多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SFT14批发/采购报价，SFT14行情走势销售排行榜，SFT14报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
SFT14	1.0 AMP. Super Fast Rectifiers 文件：65.129 Kbytes Page：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
SFT14	1.0 AMP. Super Fast Rectifiers 文件：270.35 Kbytes Page：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
SFT14	1.0 AMP_Super Fast Rectifiers 文件：548.31 Kbytes Page：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
SFT1402	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • Motor drive application. • Low ON-resistance. • 4V drive.	SANYO 三洋	SANYO
SFT1403	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • Motor drive application. • Low ON-resistance. • 4V drive.	SANYO 三洋	SANYO
SFT1405	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • Motor drive application. • Low ON-resistance. • 4V drive.	SANYO 三洋	SANYO
SFT1407	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • Motor drive application. • Low ON-resistance. • 4V drive.	SANYO 三洋	SANYO
SFT1423	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • 4V drive.	SANYO 三洋	SANYO
SFT1423	N-Channel Power MOSFET 500V, 2A, 4.9, Single TP/TP-FA N-Channel Power MOSFET 500V, 2A, 4.9Ω, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance • Protection diode in • 4V drive	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1423-TL-E	N-Channel Power MOSFET 500V, 2A, 4.9, Single TP/TP-FA N-Channel Power MOSFET 500V, 2A, 4.9Ω, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance • Protection diode in • 4V drive	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1427	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • 4V drive.	SANYO 三洋	SANYO
SFT1431	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Motor drive application. • Low ON-resistance. • 4V drive.	SANYO 三洋	SANYO
SFT1431	N-Channel Power MOSFET 35V, 11A, 25m, Single TP/TP-FA Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1431	Power MOSFET Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1431-E	Power MOSFET Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1431-H	N-Channel Power MOSFET 35V, 11A, 25m, Single TP/TP-FA Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1431-TL-E	N-Channel Power MOSFET 35V, 11A, 25m, Single TP/TP-FA Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1431-TL-E	Power MOSFET Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1431-TL-W	Power MOSFET Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1431-W	Power MOSFET Power MOSFET 35V, 25mΩ,11A, Single N-Channel Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1440	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)=6.2Ω(typ.)	SANYO 三洋	SANYO
SFT1440	N-Channel Power MOSFET N-Channel Power MOSFET 600V, 1.5A, 8.1Ω, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)=6.2Ω(typ.) • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1440-E	N-Channel Power MOSFET N-Channel Power MOSFET 600V, 1.5A, 8.1Ω, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)=6.2Ω(typ.) • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1440-TL-E	N-Channel Power MOSFET N-Channel Power MOSFET 600V, 1.5A, 8.1Ω, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)=6.2Ω(typ.) • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1443	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=180mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=490pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance	SANYO 三洋	SANYO
SFT1443	N-Channel Power MOSFET 100V, 9A, 225m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=180mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=490pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1445	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=85mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=1030pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance	SANYO 三洋	SANYO
SFT1445	N-Channel Power MOSFET 100V, 17A, 111m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=85mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=1030pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1445	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON)	Bychip 百域芯	Bychip
SFT1445-H	N-Channel Power MOSFET 100V, 17A, 111m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=85mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=1030pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1445-TL-H	N-Channel Power MOSFET 100V, 17A, 111m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=85mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=1030pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1446	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=39mΩ(typ) • Input Capacitance Ciss=750pF(typ) • 4V drive • Halogen free compliance	SANYO 三洋	SANYO
SFT1446	N-Channel Power MOSFET 60V, 20A, 51m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=39mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=750pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1446-H	N-Channel Power MOSFET 60V, 20A, 51m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=39mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=750pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1446-TL-H	N-Channel Power MOSFET 60V, 20A, 51m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=39mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=750pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1450	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=21mΩ(typ) • Input Capacitance Ciss=715pF(typ) • 4.5V drive • Halogen free compliance	SANYO 三洋	SANYO
SFT1450	N-Channel Power MOSFET 40V, 21A, 28m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=21mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=715pF(typ.) • 4.5V drive • Halogen free compliance • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1450	N-Channel Power MOSFET 40V, 21A, 28m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=21mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=715pF(typ.) • 4.5V drive • Halogen free compliance • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1450-H	N-Channel Power MOSFET 40V, 21A, 28m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=21mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=715pF(typ.) • 4.5V drive • Halogen free compliance • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1450-H	N-Channel Power MOSFET 40V, 21A, 28m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=21mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=715pF(typ.) • 4.5V drive • Halogen free compliance • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1450-TL-H	N-Channel Power MOSFET 40V, 21A, 28m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=21mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=715pF(typ.) • 4.5V drive • Halogen free compliance • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1450-TL-H	N-Channel Power MOSFET 40V, 21A, 28m, Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=21mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=715pF(typ.) • 4.5V drive • Halogen free compliance • Protection diode in	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1403	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1405	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1407	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1423	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08624 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SFT1440	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.08194 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SFT1440-E	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08635 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SFT1440-H	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08645 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SFT1443-E	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：1.05335 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SFT1443-E	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.01903 Mbytes Page：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
SFT1443-H	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.00916 Mbytes Page：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SFT1443-TL-H	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：1.05343 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SFT1445-E	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.18304 Mbytes Page：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
SFT1445-TL-E	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.49771 Mbytes Page：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
SFT1445-TL-H	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：954.6 Kbytes Page：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SFT1446-H	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：960.69 Kbytes Page：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SFT1446-TL-H	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：897.65 Kbytes Page：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SFT1452	N-Channel Power MOSFET 文件：811.53 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SFT1452-H	N-Channel Power MOSFET 文件：811.53 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

SFT14产品属性

类型
描述
型号
SFT14
功能描述
整流器 1A,200V,35NS, SUPER FAST Rect
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
反向电压
100 V
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A 反向电流
IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
DO-221AC
封装
Reel

SFT14供应商更多...

更新时间：2025-11-19 20:13:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威雅利发展有限公司	SFT1445-TL-H	ON	17+	TO-252	2800	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	SFT1450-TL-E	ONSEMI/安森美	25+	TO-252	39229	ONSEMI/安森美全新特价SFT1450-TL-E即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	SFT1450	ON/安森美	22+	TO--251	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	SFT1446-TL-H	ON(安森美)	24+	NA/	8735	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价
深圳市联世界科技有限公司	SFT1423-TL-E	ON	24+/25+		685	原装正品现货库存价优	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	SFT1407-TL-E	SANYO/三洋	24+	SOT252	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市华睿芯科技有限公司	SFT1423-S-TL-E	进口SANYO	24+	TO252	20000	全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！	询价
深圳市正纳电子有限公司	SFT1443-TL-W	ON(安森美)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司	SFT1443-H	ON/安森美	22+	TO-251	12245	现货,原厂原装假一罚十!	询价
深圳市凌旭科技有限公司	SFT1423-S-TL-E	SANYO/三洋	21+	TO252	1709		询价

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2021-6-23
SFXG50UZ502深圳市光华微科技有限公司18138231376
联系人：刘冬英公司电话：0755-83203002 手机：18138231376 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-5-6
SG1503T-精密2.5伏参考...
描述这种单片集成电路是一个完全独立的精密电压参考发生器，内部装饰为± 1％的准确度。需要较少比静态电流为2mA，这种装置可以提供10mA的过剩的总负载和线路引起的误差小于0.5％。另外本计画为电压精度，实现了内部修整温度系数的输出电压通常为10 ppm的/° C的因此，这些提法应用关键仪器和D很好的选择到一个转换器系统。该SG1503规定工作在整个军事环境温度范围-55 ° C至125 ° C，而在SG2503是专为-25 ° C至85 ° C和0℃的商业应用SG3503至70℃ 特征 ·输出电压调整到±1％ ·输入电压范围
2013-3-15

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