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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,92A,RDS(ON)=8.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=10.5mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelPowerMOSFET

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage

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FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage

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FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

OptiMOS??Power-Transistor

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
更新时间:2024-6-24 17:24:01
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CET华瑞
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