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SDP06S60	Silicon Carbide Schottky Diode Silicon Carbide Schottky Diode • Worlds first 600V Schottky diode • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide • Switching behavior benchmark • No reverse recovery • No temperature influence on the switching behavior • Ideal diode for Power Factor Correction up to 1	Infineon 英飞凌	Infineon
SDP06S60	Silicon Carbide Schottky Diode 文件：644.88 Kbytes Page：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SDP06S60	封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220AB 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	Infineon 英飞凌	Infineon
SDP06S60_08	Silicon Carbide Schottky Diode 文件：644.88 Kbytes Page：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDH06S60C	SiC Schottky Rectifier FEATURES ·Switching Behavior Benchmark · No Forward Recovery · No Reverse Recovery · High Surge Current Capability APPLICATIONS · Motor Drives · Switch mode power supply	ISC 无锡固电	ISC
IDB06S60C	2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode 文件：748.14 Kbytes Page：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDC06S60C	2nd generation thinQ SiC Schottky Diode 文件：61.02 Kbytes Page：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDC06S60CE	2nd generation thinQ!TM SiC Schottky Diode 文件：112.26 Kbytes Page：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDH06S60C	2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode 文件：440.47 Kbytes Page：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

SDP06S60产品属性

类型
描述
型号
SDP06S60
功能描述
DIODE 600V 6A TO-220AB
RoHS
否
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列
-
标准包装
100
系列
-
二极管类型
标准电压
-(Vr)（最大）
50V 电流 -
平均整流(Io)
6A 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)
300ns 电流 - 在 Vr
时反向漏电
15µA @ 50V 电容@ Vr,
F
-
安装类型
底座，接线柱安装
封装/外壳
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装
DO-203AA
包装
散装
其它名称
*1N3879

SDP06S60供应商更多...

更新时间：2025-8-17 23:01:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	SDP06S60	INFINEON	24+	PG-TO220-3	8866		询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	SDP06S60	INFINEON/英飞凌	2447	TO-220	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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