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SCTWA35N65G2V4AG

SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·High Blocking Voltage with Low On-Resistance ·RDS(ON)= 45mΩ(TYP.)@VGS= 20V TJ=25℃ ·High Speed Switching with Low Capacitance APPLICATIONS ·Main Inverters ·DC/DC converter for EV/HEV ·On board charger

ISC

无锡固电

更新时间:2025-8-14 18:01:00
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