位置：首页 > IC中文资料 > SCTWA35N65G2V-4
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SCTWA35N65G2V-4 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an HiP247-4 package Features • Very fast and robust intrinsic body diode • Low capacitances • Source sensing pin for increased efficiency • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C) Applications • Switching mode power supply • DC-DC converters • Industrial motor control | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   |
更新时间：2025-8-14 11:58:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST(意法) |
24+ |
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ST/意法半导体 |
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