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SCT070W120G3-4AG

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package

Features • AEC-Q101 qualified • Very fast and robust intrinsic body diode • Extremely low gate charge and input capacitance • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C) • Source sensing pin for increased efficiency Applications • Main inverter (electric traction) •

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package

Features • Very fast and robust intrinsic body diode • Very low RDS(on) over the entire temperature range • High speed switching performances • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C) • Source sensing pin for increased efficiency Applications • Switching mode pow

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意法半导体意法半导体集团

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更新时间:2025-8-6 11:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
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ST/意法半导体
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