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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SCT070W120G3-4 | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package Features • Very fast and robust intrinsic body diode • Very low RDS(on) over the entire temperature range • High speed switching performances • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C) • Source sensing pin for increased efficiency Applications • Switching mode pow | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package Features • AEC-Q101 qualified • Very fast and robust intrinsic body diode • Extremely low gate charge and input capacitance • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C) • Source sensing pin for increased efficiency Applications • Main inverter (electric traction) • | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
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