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SBRS8140NT3G

Surface Mount Schottky Power Rectifier

Schottky Power Rectifiers employ the use of the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or

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安森美半导体

SBRS8140NT3G

封装/外壳:DO-214AA,SMB 包装:带盒(TB) 描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A 1202-SMB2 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

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安森美半导体

封装/外壳:DO-214AA,SMB 包装:管件 描述:REC SMB SPECIAL SHTKY 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

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安森美半导体

更新时间:2026-1-5 14:49:00
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