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SBRD81035CTLG-VF01

Schottky Power Rectifier, Switch Mode, 10 A, 35 V

The MBRD1035CTL employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies, free wheelin

ONSEMI

安森美半导体

SBRD81035CTLG-VF01

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR) 描述:DIODE SCHOTTKY 35V 10A DPAK 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-11-4 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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