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SBR30300CT-G

30A SBR짰 SUPER BARRIER RECTIFIER

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DIODES

美台半导体

30V N-Channel MOSFET

General Description • Trench Power MOSFET technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS 2.0 and Halogen-Free Compliant Applications • High performance ORing, Efuse • Ultra high current battery charge/discharge

AOSMD

万国半导体

SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE

DESCRIPTION: The DKV6534B is designed for UHF Filter and Oscillator Applications that Require Octave tuning. FEATURES: • TR = 5.8 Typical at VR = 3 /20 V • Q = 300 Typical at 3 V /50 MHz • Hermetic DO-7 Package

ASI

XRP CUSTOMIZABLE RECESSED SOCKET PLATES

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更新时间:2025-10-4 22:23:00
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