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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
EMB1412MY/NOPB

丝印代码：SA3B；EMB1412 MOSFET Gate Driver

1 Features 1• Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 7 A Sink/3 A Source Current • Fast Propagation Times (25 ns Typical) • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise/Fall with 2 nF Load) • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration with a

TI

德州仪器

EMB1412MY/NOPB.A

丝印代码：SA3B；EMB1412 MOSFET Gate Driver

1 Features 1• Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 7 A Sink/3 A Source Current • Fast Propagation Times (25 ns Typical) • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise/Fall with 2 nF Load) • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration with a

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EMB1412MY/NOPB.B

丝印代码：SA3B；EMB1412 MOSFET Gate Driver

1 Features 1• Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 7 A Sink/3 A Source Current • Fast Propagation Times (25 ns Typical) • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise/Fall with 2 nF Load) • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration with a

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EMB1412MYE/NOPB

丝印代码：SA3B；EMB1412 MOSFET Gate Driver

1 Features 1• Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 7 A Sink/3 A Source Current • Fast Propagation Times (25 ns Typical) • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise/Fall with 2 nF Load) • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration with a

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EMB1412MYE/NOPB.A

丝印代码：SA3B；EMB1412 MOSFET Gate Driver

1 Features 1• Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 7 A Sink/3 A Source Current • Fast Propagation Times (25 ns Typical) • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise/Fall with 2 nF Load) • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration with a

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EMB1412MYE/NOPB.B

丝印代码：SA3B；EMB1412 MOSFET Gate Driver

1 Features 1• Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 7 A Sink/3 A Source Current • Fast Propagation Times (25 ns Typical) • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise/Fall with 2 nF Load) • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration with a

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EMB1412MYESLASHNOPB

丝印代码：SA3B；EMB1412 MOSFET Gate Driver

1 Features 1• Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 7 A Sink/3 A Source Current • Fast Propagation Times (25 ns Typical) • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise/Fall with 2 nF Load) • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration with a

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EMB1412MYESLASHNOPB.A

丝印代码：SA3B；EMB1412 MOSFET Gate Driver

1 Features 1• Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 7 A Sink/3 A Source Current • Fast Propagation Times (25 ns Typical) • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise/Fall with 2 nF Load) • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration with a

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EMB1412MYESLASHNOPB.B

丝印代码：SA3B；EMB1412 MOSFET Gate Driver

1 Features 1• Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 7 A Sink/3 A Source Current • Fast Propagation Times (25 ns Typical) • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise/Fall with 2 nF Load) • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration with a

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EMB1412MYSLASHNOPB

丝印代码：SA3B；EMB1412 MOSFET Gate Driver

1 Features 1• Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 7 A Sink/3 A Source Current • Fast Propagation Times (25 ns Typical) • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise/Fall with 2 nF Load) • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration with a

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EMB1412MYSLASHNOPB.A

丝印代码：SA3B；EMB1412 MOSFET Gate Driver

1 Features 1• Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 7 A Sink/3 A Source Current • Fast Propagation Times (25 ns Typical) • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise/Fall with 2 nF Load) • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration with a

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德州仪器

EMB1412MYSLASHNOPB.B

丝印代码：SA3B；EMB1412 MOSFET Gate Driver

1 Features 1• Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 7 A Sink/3 A Source Current • Fast Propagation Times (25 ns Typical) • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise/Fall with 2 nF Load) • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either Configuration with a

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SA3B

Standard Avalanche Diodes

文件：147.13 Kbytes Page：2 Pages

SEMIKRON

赛米控丹佛斯

SA3B

Standard Avalanche Diodes

文件：192.74 Kbytes Page：2 Pages

SEMIKRON

赛米控丹佛斯

SA3B75-02

2 dB Fixed Attenuator 75 Ohm BNC Male (Plug) to 75 Ohm BNC Female (Jack) Up to 3 GHz Rated to 2 Watts, , 1.3 VSWR

FAIRVIEW

SA3B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SA3B

  • 制造商

    SEMIKRON

  • 制造商全称

    Semikron International

  • 功能描述

    Standard Avalanche Diodes

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更新时间：2026-8-1 18:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科芯源微电子有限公司
EMB02N03HR
EMC
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EMB02N03HR
EMC
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DFN5*6-8
3359
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深圳市东来宝电子科技有限公司
EMB02N03HR
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22500
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深圳市创新迹电子有限公司
EMB02N03HR
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万三科技(深圳)有限公司
EMB02N03HR
EMC
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天津市博通航睿技术有限公司
EMB02K03HP
EMC/杰力
23+
DFN5X6
7000
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艾睿（深圳）半导体有限公司
EMB.96C.F.24
N/A
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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深圳市安富世纪电子有限公司
EMB0033A1MA-MV-F
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6500
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深圳市科翼源电子有限公司
EMB02N03HR
EMC
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DFN5X6
3353
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    2019-11-29

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729

    2019-11-14

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729

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    SA555P，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    2012-11-17

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