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S2306	N-channel SiC（碳化硅）功率MOSFET Bare die S2306是基于SiC的平面型MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。\n\n关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。 · Low ON resistance\n· Fast switching speed\n· Fast revese recovery\n· Easy to parallel\n· Simple to drive;	ROHM 罗姆	ROHM
S2306	N-channel SiC power MOSFET bare die 文件：951.9 Kbytes Page：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
NTE2306	Silicon Complementary Transistors High Voltage Power Amplifier Description: The NTE2305 (NPN) and NTE2306 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO218 type package designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits. Features: • High Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 16	NTE	NTE
LMX2306	PLLatinum??Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：300.91 Kbytes Page：19 Pages	NSC 国半	NSC
LMX2306SLBX	PLLatinum??Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：300.91 Kbytes Page：19 Pages	NSC 国半	NSC
LMX2306TM	PLLatinum??Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：300.91 Kbytes Page：19 Pages	NSC 国半	NSC
LMX2306TMX	PLLatinum??Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：300.91 Kbytes Page：19 Pages	NSC 国半	NSC

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更新时间：2026-5-16 20:30:00

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S1D13L01F00A100
S1D13L01F00A100
2023-6-25
S1S60020F00A1
https://hch01.114ic.com/
2020-11-13
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S18016,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-25
S25FL032P0XMFI011
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2020-7-27
S25FL032P0XMFI011 闪存原装现货假一罚十
WSON-8 NOR闪存 , 1 Gbit AEC-Q100 NOR闪存 , SPI SMD/SMT NOR闪存 , 4 Mbit NOR NOR闪存 , SOP-16 NOR闪存 , 512 Mbit WDFN-8 SPI NOR闪存
2020-6-12
S24SE15002PDFA进口原装现货DELTA
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2020-4-8