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S115FP

丝印代码:AFP;Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers 1 A, 20 V - 150 V

Features • Larger Cathode Pad for Improved Power Dissipation • Ultra Thin Profile − Package Height

ONSEMI

安森美半导体

S115FP

1 A、150 V 表面贴装肖特基势垒整流器

• 更大的阴极焊盘以改善功率耗散\n• 超薄外形 - 封装高度<1.0 mm\n• 高浪涌电流处理能力\n• 低功耗、高效率\n• UL 阻燃等级 94 V-0\n• J-STD-020 MSL 1\n• 符合 RoHS 标准/绿色模塑化合物\n• 符合 AEC-Q101 标准的合格工业设备\n• * 见《授权使用政策》;

ONSEMI

安森美半导体

S115FP

封装/外壳:SOD-123H 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:DIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD123HE 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ONSEMI

安森美半导体

POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)

MOSPEC

统懋

DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

MOTOROLA

摩托罗拉

Quad, Closed-Loop Monolithic Buffer

文件:350.02 Kbytes Page:6 Pages

NSC

国半

Quad, Closed-Loop Monolithic Buffer

文件:350.02 Kbytes Page:6 Pages

NSC

国半

Quad, Closed-Loop Monolithic Buffer

文件:350.02 Kbytes Page:6 Pages

NSC

国半

S115FP产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Configuration:

    Single

  • VRRM Min (V):

    150

  • VF Max (V):

    900

  • IRM Max (µA):

    50

  • IO(rec) Max (A):

    1

  • IFSM Max (A):

    30

  • trr Max (ns):

    14

  • Cj Max (pF):

    28

  • Package Type:

    SOD-123 FL

更新时间:2026-5-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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