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MOS FET Power Amplifier Module for UHF Band

Features • Small package: 30 × 10 × 5.9 mm • High output power at low voltage: 2 W Typ at 4.8 V • Low power control current: 200 µA Typ

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

General-Purpose Switching Device Applications

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SANYO

三洋

FUSEHOLDERS

文件:1.57224 Mbytes Page:18 Pages

BULGIN

PC Mounting PC1, PC2 and PC3

文件:110.72 Kbytes Page:1 Pages

BULGIN

SAW Filter 713MHz SMD 5.0횞5.0 mm

文件:703.21 Kbytes Page:6 Pages

TAI-SAW

嘉硕科技

更新时间:2026-5-23 22:50:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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