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2SB1427T100E中文资料

厂家型号

2SB1427T100E

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功能描述

Power transistor (??0V, ??A)

两极晶体管 - BJT PNP 20V 2A

数据手册

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生产厂商

ROHM

2SB1427T100E数据手册规格书PDF详情

Features

1) Low saturation voltage, VCE : Max. −0.5V at IC/IB= −1A / −50mA.

2) Excellent DC current gain characteristics.

2SB1427T100E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1427T100E

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP 20V 2A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-11 11:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
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2SB1427T100E 价格

参考价格:¥1.2516

型号:2SB1427T100E 品牌:Rohm 备注:这里有2SB1427T100E多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2SB1427T100E批发/采购报价,2SB1427T100E行情走势销售排排榜,2SB1427T100E报价。