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S10040200P中文资料

厂家型号

S10040200P

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3

功能描述

GaAs Push Pull Hybrid 40MHz to 1000MHz

GaAs Push Pull Hybrid 40 - 1000MHz 20dB min. Gain @ 1000MHz 260mA max. @ 24VDC

数据手册

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生产厂商

RF Micro Devices

简称

RFMD

中文名称

官网

LOGO

S10040200P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    S10040200P

  • 制造商

    PDI

  • 制造商全称

    PDI

  • 功能描述

    GaAs Push Pull Hybrid 40 - 1000MHz 20dB min. Gain @ 1000MHz 260mA max. @ 24VDC

更新时间:2024-5-23 9:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RFMD
23+
SOT115J
10880
原装正品,支持实单
RFMD
SOT115J
3688
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
RFMD
22+
SMD
18000
原装现货原盒原包.假一罚十
RFMD
20+
SOT-115J
1001
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RFMD
22+
SOT115J
9000
原厂渠道,现货配单
MINI
2018+
SMD
3600
MINI专营品牌全新原装正品假一赔十
Qorvo
19+
标准封装
500
QORVO
60
原装正品老板王磊+13925678267
ICHYBRIDP
16+
原厂封装
46
原装现货假一罚十
Qorvo
24+
N/A
3600
原厂渠道保证进口原装正品假一罚十价格合理

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RF Micro Devices

中文资料: 4112条

美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP