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ERJ-8GEYJ100V中文资料
ERJ-8GEYJ100V产品属性
- 类型
描述
- 型号
ERJ-8GEYJ100V
- 功能描述
厚膜电阻器 - SMD THICK FILM CHIP RES 1206
- RoHS
否
- 制造商
Bourns
- 电阻
1.5 Ohms
- 容差
1 %
- 功率额定值
25 W
- 电压额定值
250 V 外壳代码 -
- in
外壳代码 -
- 端接类型
SMD/SMT
- 温度系数
100 PPM/C
- 系列
PWR163
- 工作温度范围
- 55 C to + 155 C
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
N/A |
38160 |
正品授权货源可靠 |
||||
PANASONIC |
20+ |
电阻器 |
29288 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
PANASONIC-松下 |
24+25+/26+27+ |
车规-厚膜电阻 |
76052 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
PANASONIC |
23+ |
54156 |
|||||
N/A |
1996 |
5000 |
原装正品现货供应 |
||||
Panasonic Electronic Component |
23+ |
NA |
10000 |
原装现货 库存特价/长期供应元器件代理经销 |
|||
PANASONIC/松下 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
N/A |
最新 |
5000 |
原装正品 现货供应 价格优 |
||||
N/A |
23+ |
589610 |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
||||
PANASONIC |
22+ |
SMD |
518000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
ERJ-8GEYJ100V 价格
参考价格:¥0.0186
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- 284T23S102A26BT
- 284T24R103A26BT
- 284T32K503A26BT
- 284T35K503A26BT
- 284T43F103A26BT
- 28F0181-1SR-10
- 291C4D20F832BA
- 291C4D28R832BA
- 291C4D32R832BA
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- 291V1022R832BA
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- C2012X7R2A103M
- ECJ-2VB1H103K
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- PM75CVA120
- PS219B4-S
- RFHA1025SR
- SF2069A-1
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- Y-CONC-R426M-MD8B-2000-A
- Y-CONC-UA42F-UB46P-2002-E
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Datasheet数据表PDF页码索引
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RF Micro Devices
美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP