位置:EEA-FC1E100 > EEA-FC1E100详情
EEA-FC1E100中文资料
EEA-FC1E100产品属性
- 类型
描述
- 型号
EEA-FC1E100
- 功能描述
铝质电解电容器 - 带引线 10UF 25V ELECT FC RADIAL
- RoHS
否
- 制造商
Kemet
- 电容
220 uF
- 容差
20 %
- 电压额定值
25 V
- 端接类型
Radial
- 外壳直径
8 mm
- 外壳长度
11 mm
- 引线间隔
5 mm
- 产品
General Purpose Electrolytic Capacitors
- 封装
Bulk
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Panasonic |
23+ |
SU电容 |
6680 |
全新原装优势 |
|||
新 |
2687 |
全新原装 货期两周 |
|||||
23+ |
N/A |
46380 |
正品授权货源可靠 |
||||
2022+ |
2683 |
全新原装 货期两周 |
|||||
PANASONIC/松下 |
2021+ |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
PANASONIC |
20+ |
电容器 |
7926 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
PANASONIC/松下 |
15+ROHS |
DIP |
39800 |
一级质量专业经营自家库存供应 |
|||
PANASONIC/松下 |
22+ |
原厂封装 |
115176 |
||||
PANASONIC/松下 |
23+ |
SMD |
6800 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
PANASONIC-松下 |
24+25+/26+27+ |
车规铝电解电容 |
23405 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
EEA-FC1E100H 价格
参考价格:¥0.3347
EEA-FC1E100 资料下载更多...
EEA-FC1E100 芯片相关型号
- 0805G102M101NT
- 0807SQ-22N_LC
- 1106018
- 1106414
- 1106620
- 1106909
- 11069909
- 284T21R503A26BT
- 284T23F103A26BT
- 284T23K504B25BT
- 284T25S102A26BT
- 284T35S103A26BT
- 284T44F102A26BT
- 284T45F102A26BT
- 284T45F103A26BT
- 291C4024R832BA
- 291C5320R832BA
- 291C6032R832BA
- CGJ3E4X7R1A106J
- CGJ4J4X7R1A106J
- GRM55ER72A475KA01L
- PM300DVA120_09
- RF3932SQ
- SF2059B-1
- ST-LINK
- Y-CONC-R406M-MD8B-2000-A
- Y-CONC-R40CU-MB8B-2000-A
- Y-CONC-R622S-MD8B-2000-A
- Y-CONC-R822M-MD8B-2000-A
- Y-CONC-UB46P-CU6P-2002-E
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
RF Micro Devices
美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP