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ECJ-0EB1E122K中文资料

厂家型号

ECJ-0EB1E122K

文件大小

890.83Kbytes

页面数量

13

功能描述

75 HIGH LINEARITY GaAs HBT MMIC AMPLIFIER

CAP CER 1200PF 25V 10% X7R 0402

数据手册

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简称

RFMD威讯联合

生产厂商

RF Micro Devices

中文名称

威讯联合半导体(德州)有限公司官网

LOGO

ECJ-0EB1E122K产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ECJ-0EB1E122K

  • 功能描述

    CAP CER 1200PF 25V 10% X7R 0402

  • RoHS

  • 类别

    电容器 >> 陶瓷

  • 系列

    ECJ

  • 标准包装

    4,000

  • 系列

    -

  • 电容

    1000pF 电压 -

  • 额定

    50V

  • 容差

    ±10%

  • 温度系数

    X7R

  • 安装类型

    表面贴装,MLCC

  • 工作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 应用

    自动

  • 额定值

    AEC-Q200

  • 封装/外壳

    0805(2012 公制)

  • 尺寸/尺寸

    0.079 L x 0.047 W(2.00mm x 1.20mm) 高度 -

  • 座高(最大)

    -

  • 厚度(最大)

    -

  • 引线间隔

    -

  • 特点

    -

  • 包装

    带卷(TR)

  • 引线型

    -

更新时间:2025-6-18 10:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PANASONICRoHS
23+
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RF Micro Devices 威讯联合半导体(德州)有限公司

中文资料: 4115条

RF Micro Devices于1991年由Analog Devices的前员工William J. Pratt、Powell T. Seymour和Jerry D. Neal在美国北卡罗来纳州格林斯博罗创立。从一开始它就专注于为商业无线市场设计射频集成电路(RFIC)产品。其产品主要包括用于无线通信的射频集成电路放大装置(RFICs)和信号处理传输设备。它们在诸如手机、无线基础设施、无线局域网(WLAN)、有线电视/宽带、航空航天和国防等市场有广泛应用。例如,它生产手机备件,是全球主要的功率放大器供应商。它还生产用于无线基础设施、有线电视调制解调器、个人通信系统和双向数据寻呼机的组件。 R