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D10040250GT中文资料
D10040250GT产品属性
- 类型
描述
- 型号
D10040250GT
- 制造商
PDI
- 制造商全称
PDI
- 功能描述
GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 24.5dB min. Gain @ 1GHz, 375mA max. @ 24VDC
更新时间：2024-4-27 16:39:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RFMD |
2017+ |
SMD |
1585 |
只做原装正品假一赔十! |
|||
RFMD |
2018+ |
QFN |
6000 |
RFMD专营品牌原装进口假一赔十 |
|||
RFMD |
20+ |
SOT-115J |
284 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
RFMD |
22+ |
SOT115J |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
RFMD |
21+ |
SOT115J |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
RFMD |
19+ |
NA |
1650 |
以质为本,只做原装正品 |
|||
RFMD |
21+ |
65200 |
|||||
RFMD |
2022+ |
7300 |
原装现货 |
||||
RFMD |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
RFMD |
2023+ |
SMD |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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RF Micro Devices
中文资料: 4112条
美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991，总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC)，1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%，由一群射频设计之专业研发团队所成立，设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上，设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术，例如：AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP
