位置:D10040180GT > D10040180GT详情
D10040180GT中文资料
D10040180GT数据手册规格书PDF详情
GaAs Power Doubler Hybrid 40MHz to 1000MHz
The D10040180GT is a Hybrid Power Doubler amplifier module. The part employs GaAs die and is operated from 40MHz to 1000MHz. It provides excellent linearity and superior return loss performance with low noise and optimal reliability.
Features
■ Excellent Linearity
■ Superior Return Loss Performance
■ Extremely Low Distortion
■ Optimal Reliability
■ Low Noise
■ Unconditionally Stable Under All Terminations
■ 19.0dB Min. Gain at 1GHz
■ 375mA Max. at 24 VDC
Applications
■ 40MHz to 1000MHz CATV Amplifier Systems
D10040180GT产品属性
- 类型
描述
- 型号
D10040180GT
- 制造商
PDI
- 制造商全称
PDI
- 功能描述
GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 19.0dB min. Gain @ 1GHz, 375mA max. @ 24VDC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RFMD |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
RFMD |
2017+ |
SMD |
1585 |
只做原装正品假一赔十! |
|||
RFMD |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
RFMD |
23+ |
N/A |
7560 |
原厂原装 |
|||
RFMD |
24+ |
65200 |
|||||
Qorvo |
19+ |
标准封装 |
500 |
||||
QORVO/威讯联合 |
22+ |
SOT115J |
16500 |
公司现货,欢迎来询。 |
|||
ICHYBRIDP |
24+ |
原厂封装 |
434 |
原装现货假一罚十 |
|||
Qorvo |
24+ |
N/A |
3600 |
原厂渠道保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
|||
QORVO |
24+ |
36000 |
原装现货假一赔十 |
D10040180GT 资料下载更多...
D10040180GT 芯片相关型号
- 130126-0204
- 130126-0235
- 130128-0082
- CMLDM7003_15
- CMNDM7001_15
- CMXDM7002A_15
- D41D5
- D8740200GT
- DMP2004DWK_15
- DMP3010LK3Q-13
- DMP4015SSS_15
- LANE1215ND6KV
- LT3050_15
- LT8582_15
- LTC3331_15
- M50UFG
- MDJ-00X-FS-PUR
- MPE-52-R-SMT-XX
- MPE-52-R-SMT-XX-TR
- R2005280L
- RF2053
- RU8H7R
- SAMA5D35
- SH8K41
- X50FF3
- X50FF5
- XF0043-CMC120_15
- XF0224-HPCMC_15
- XF0266S5_15
- Z25FG_13
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
RF Micro Devices 威讯联合半导体(德州)有限公司
RF Micro Devices于1991年由Analog Devices的前员工William J. Pratt、Powell T. Seymour和Jerry D. Neal在美国北卡罗来纳州格林斯博罗创立。从一开始它就专注于为商业无线市场设计射频集成电路(RFIC)产品。其产品主要包括用于无线通信的射频集成电路放大装置(RFICs)和信号处理传输设备。它们在诸如手机、无线基础设施、无线局域网(WLAN)、有线电视/宽带、航空航天和国防等市场有广泛应用。例如,它生产手机备件,是全球主要的功率放大器供应商。它还生产用于无线基础设施、有线电视调制解调器、个人通信系统和双向数据寻呼机的组件。 R