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CGR0218ZSR中文资料

厂家型号

CGR0218ZSR

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452.9Kbytes

页面数量

8

功能描述

PUSH-PULL 5MHz to 210MHz HIGH LINEARITY InGaP HBT AMPLIFIER

数据手册

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生产厂商

RF Micro Devices

简称

RFMD

中文名称

官网

LOGO

CGR0218ZSR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CGR0218ZSR

  • 制造商

    RFMD

  • 制造商全称

    RF Micro Devices

  • 功能描述

    PUSH-PULL 5MHz to 210MHz HIGH LINEARITY InGaP HBT AMPLIFIER

更新时间:2024-5-4 17:33:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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RF Micro Devices

中文资料: 4112条

美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP