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UPG2253T6S-E2-A中文资料

厂家型号

UPG2253T6S-E2-A

文件大小

258.35Kbytes

页面数量

14

功能描述

GaAs HJ-FET INTEGRATED CIRCUIT

射频前端 GaAs HJ-FET,RF FEIC 3.0V/95mA

数据手册

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生产厂商

RENESAS

UPG2253T6S-E2-A数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Operating frequency : fopt = 2 400 to 2 500 MHz (2 450 MHz TYP.)

• Supply voltage : VDD1, 2, 3 = 3.0 V TYP.

• Control voltage : Ven = 3.0 V TYP.

• Circuit current : IDD = 95 mA TYP. @ Pin = 0 dBm

• Output power : Pout = 19 dBm TYP. @ Pin = 0 dBm

• High efficiency : PAE = 28 TYP. @ Pin = 0 dBm

• High-density surface mounting : 16-pin plastic QFN package (T6S) (3.0 × 3.0 × 0.75 mm)

UPG2253T6S-E2-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPG2253T6S-E2-A

  • 功能描述

    射频前端 GaAs HJ-FET,RF FEIC 3.0V/95mA

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 工作频率

    2.4 GHz, 5 GHz

  • 最大数据速率

    54 Mbps

  • 工作电源电压

    3.3 V

  • 电源电流

    180 mA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    QFN-32

更新时间:2025-10-11 14:26:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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