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UPG2012TK-E2中文资料

厂家型号

UPG2012TK-E2

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309.88Kbytes

页面数量

11

功能描述

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

RF 开关 IC SPDT Single Switch

数据手册

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生产厂商

RENESAS

UPG2012TK-E2数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Supply voltage : VDD = 2.7 to 3.0 V (2.8 V TYP.)

• Switch control voltage : Vcont (H) = 2.7 to 3.0 V (2.8 V TYP.)

: Vcont (L) = −0.2 to +0.2 V (0 V TYP.)

• Low insertion loss : LINS1 = 0.27 dB TYP. @ f = 0.5 to 1.0 GHz, VDD = 2.8 V, Vcont = 2.8 V/0 V

: LINS2 = 0.30 dB TYP. @ f = 2.0 GHz, VDD = 2.8 V, Vcont = 2.8 V/0 V

: LINS3 = 0.30 dB TYP. @ f = 2.5 GHz, VDD = 2.8 V, Vcont = 2.8 V/0 V (Reference

value)

• High isolation : ISL1 = 30 dB TYP. @ f = 0.5 to 2.0 GHz, VDD = 2.8 V, Vcont = 2.8 V/0 V

: ISL2 = 30 dB TYP. @ f = 2.5 GHz, VDD = 2.8 V, Vcont = 2.8 V/0 V (Reference

value)

• High-density surface mounting : 6-pin lead-less minimold package (1.5 × 1.1 × 0.55 mm)

UPG2012TK-E2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPG2012TK-E2

  • 功能描述

    RF 开关 IC SPDT Single Switch

  • RoHS

  • 制造商

    M/A-COM Technology Solutions

  • 开关数量

    Single

  • 开关配置

    SPDT

  • 介入损耗

    0.6 dB

  • 截止隔离(典型值)

    43 dB

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PQFN-16

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-7 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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