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位置：UPG2010TB-E3 > UPG2010TB-E3详情

厂家型号	UPG2010TB-E3
文件大小	369.52Kbytes
页面数量	13页
功能描述	GaAs INTEGRATED CIRCUIT RF 开关 IC L S Band SPDT Switch
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	RENESAS

FEATURES

• Supply voltage : VDD = 2.7 to 3.0 V (2.8 V TYP.)

• Switch control voltage : Vcont (H) = 2.7 to 3.0 V (2.8 V TYP.)

: Vcont (L) = −0.2 to +0.2 V (0 V TYP.)

• Low insertion loss : LINS1 = 0.25 dB TYP. @ f = 0.5 to 1.0 GHz, VDD = 2.8 V, Vcont = 2.8 V/0 V

: LINS2 = 0.30 dB TYP. @ f = 2.0 GHz, VDD = 2.8 V, Vcont = 2.8 V/0 V

: LINS3 = 0.35 dB TYP. @ f = 2.5 GHz, VDD = 2.8 V,

Vcont = 2.8 V/0 V (Reference value)

• High isolation : ISL1 = 28 dB TYP. @ f = 0.5 to 2.0 GHz, VDD = 2.8 V, Vcont = 2.8 V/0 V

: ISL2 = 25 dB TYP. @ f = 2.5 GHz, VDD = 2.8 V, Vcont = 2.8 V/0 V (Reference value)

• High power : Pin (0.1 dB) = +33.0 dBm TYP. @ f = 1.0 GHz, VDD = 2.8 V, Vcont = 2.8 V/0 V

• High-density surface mounting : 6-pin super minimold package (2.0 × 1.25 × 0.9 mm)

UPG2010TB-E3供应商...

更新时间：2025-10-8 16:29:00

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