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UPD75316BGC-XXX-3B9中文资料

厂家型号

UPD75316BGC-XXX-3B9

文件大小

649.05Kbytes

页面数量

79

功能描述

MOS INTEGRATED CIRCUIT

数据手册

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生产厂商

RENESAS

UPD75316BGC-XXX-3B9数据手册规格书PDF详情

FEATURES

· Ultra-low-voltage operation possible: VDD = 2.0 to 6.0 V

• Can be driven by two 1.5-V manganese batteries.

· On-chip memory

• Program memory (ROM)

: 16256 ´ 8 bits (mPD75316B)

: 12160 ´ 8 bits (mPD75312B)

• Data memory (RAM)

: 1024 ´ 4 bits

更新时间:2025-9-26 16:41:00
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