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UPD750006中文资料

厂家型号

UPD750006

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641.45Kbytes

页面数量

86

功能描述

MOS INTEGRATED CIRCUIT

数据手册

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生产厂商

RENESAS

UPD750006数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Capable of low-voltage operation: VDD = 2.2 to 5.5 V

• Internal memory

Program memory (ROM)

: 4096 × 8 bits (μPD750004 and μPD750004(A))

: 6144 × 8 bits (μPD750006 and μPD750006(A))

: 8192 × 8 bits (μPD750008 and μPD750008(A))

Data memory (RAM)

: 512 × 4 bits

更新时间:2025-10-9 19:08:00
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