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UPD48576118FF-E18-DW1中文资料

厂家型号

UPD48576118FF-E18-DW1

文件大小

1171.75Kbytes

页面数量

52

功能描述

576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O

数据手册

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生产厂商

RENESAS

UPD48576118FF-E18-DW1数据手册规格书PDF详情

Features

• SRAM-type interface

• Double-data-rate architecture

• PLL circuitry

• Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns

2.5 ns @ tRC = 15 ns

2.5 ns @ tRC = 20 ns

3.3 ns @ tRC = 20 ns

• Non-multiplexed addresses

• Multiplexing option is available.

• Data mask for WRITE commands

• Differential input clocks (CK and CK#)

• Differential input data clocks (DK and DK#)

• Data valid signal (QVLD)

• Programmable burst length: 2 / 4 / 8 (x9 / x18)

• User programmable impedance output (25 Ω - 60 Ω)

• JTAG boundary scan

更新时间:2025-10-8 13:01:00
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