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UPD16836GT中文资料

厂家型号

UPD16836GT

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230.14Kbytes

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14

功能描述

MOS INTEGRATED CIRCUIT

数据手册

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生产厂商

Renesas Technology Corp

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

UPD16836GT数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Low ON resistance (Sum of ON resistance of top and bottom transistors) Ron = 1.2 W (TYP.)

• Low power consumption using three-phase full-wave PWM driving system

• START/STOP pins enable braking operation in STOP mode

• Standby pin turns off internal circuitry in standby mode

• Low current consumption: IDD = 3mA (MAX.), IDD(ST) = 100 mA (MAX.)

• Internal thermal shutdown circuit

• Internal overcurrent protection circuit (can be externally set)

• Internal FG output function

• Reverse prevention circuit

• 24-pin plastic SOP (375 mil)

更新时间:2025-5-15 17:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
SSOP
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2023+
SSOP
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。

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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 113819条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为