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UPD16331GF-3B9中文资料

厂家型号

UPD16331GF-3B9

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18

功能描述

MOS INTEGRATED CIRCUIT

数据手册

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生产厂商

RENESAS

UPD16331GF-3B9数据手册规格书PDF详情

FEATURES

· High voltage full CMOS process

· High breakdown voltage, high current output (100 V, ±150 mA MAX.)

· 40-bit bidirectional shift register on chip

· Data control by transfer clock (external) and latch

· High speed data transfer capability (fmax. = 16 MHz MIN.; when cascaded)

· Wide operating temperature range (TA = -20 to 85 °C)

· Polarity of all driver outputs can be inverted by PC pins.

更新时间:2025-10-4 9:50:00
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