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UPA802T中文资料

厂家型号

UPA802T

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功能描述

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

数据手册

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生产厂商

RENESAS

UPA802T数据手册规格书PDF详情

The µPA802T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

FEATURES

• Low Noise NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

• High Gain |S21e|2 = 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

• A Mini Mold Package Adopted

• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4227)

UPA802T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPA802T

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

更新时间:2025-10-18 8:18:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
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SOT363
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进口原装现货,假一赔十
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