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UPA2801T1L-E2-AY中文资料

厂家型号

UPA2801T1L-E2-AY

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358.41Kbytes

页面数量

8

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

UPA2801T1L-E2-AY数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The μ PA2801 is N-channel MOSFET designed for DC/DC converter and power

management applications of portable equipments.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 9.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 16 A)

RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 8 A)

• Built-in gate protection diode

• Thin type surface mount package with heat spreader

• RoHS Compliant

更新时间:2025-10-8 18:27:00
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