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UPA2793GR-E2-AZ中文资料

厂家型号

UPA2793GR-E2-AZ

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349.63Kbytes

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14

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

Renesas Technology Corp

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

UPA2793GR-E2-AZ数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The μ PA2793GR is N- and P-channel MOS Field Effect

Transistors designed for Motor Drive application.

FEATURES

• Low on-state resistance

N-channel RDS(on)1 = 15 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.5 A)

RDS(on)2 = 23 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.5 A)

P-channel RDS(on)1 = 26 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −3.5 A)

RDS(on)2 = 36 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −3.5 A)

• Low input capacitance

N-channel Ciss = 2200 pF TYP.

P-channel Ciss = 2200 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

• Small and surface mount package (Power SOP8)

更新时间:2025-5-14 16:49:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 113695条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为