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UPA2757GR中文资料

厂家型号

UPA2757GR

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371.36Kbytes

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10

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

数据手册

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生产厂商

Renesas Technology Corp

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

UPA2757GR数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The μ PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect

Transistors designed for switching application.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A)

RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A)

• Low gate charge

QG = 10 nC TYP. (VGS = 10 V)

• Built-in G-S protection diode

• Small and surface mount package (Power SOP8)

UPA2757GR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPA2757GR

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

更新时间:2025-5-18 10:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas
21+
-
22470
全新原装鄙视假货
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NA
22470
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24+
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 113842条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为