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UPA2352BT1G-E4-A中文资料

厂家型号

UPA2352BT1G-E4-A

文件大小

440.62Kbytes

页面数量

9

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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简称

RENESAS瑞萨

生产厂商

Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

UPA2352BT1G-E4-A数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The μ PA2352B is a Dual N-channel MOSFET designed for

Lithium-Ion battery protection circuit.

Ecologically Flip chip MOSFET for Lithium-Ion battery Protection

(EFLIP).

FEATURES

• Monolithic Dual MOSFET

Connecting the Drains on the circuit board is not required

because the Drains of the FET1 and the FET2 are internally

connected.

• 2.5 V drive available and low on-state resistance

RSS(on)1 = 43.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, IS = 2.0 A)

RSS(on)2 = 45.0 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, IS = 2.0 A)

RSS(on)3 = 55.0 mΩ MAX. (VGS = 3.1 V, IS = 2.0 A)

RSS(on)4 = 67.0 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, IS = 2.0 A)

• Built-in G-S protection diode against ESD

• Pb-free Bump

更新时间:2025-6-20 18:12:00
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 115107条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为