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UPA1819GR-9JG中文资料

厂家型号

UPA1819GR-9JG

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10

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

数据手册

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生产厂商

RENESAS

UPA1819GR-9JG数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The μ PA1819 is a switching device that can be driven

directly by a 4.0 V power source.

This device features a low on-state resistance and

excellent switching characteristics, and is suitable for

applications such as power management of notebook

computers and so on.

FEATURES

• 4.0 V drive available

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 12 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −6.0 A)

RDS(on)2 = 18.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −6.0 A)

RDS(on)3 = 22 mΩ MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −6.0 A)

• Built-in G-S protection diode against ESD

UPA1819GR-9JG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPA1819GR-9JG

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

更新时间:2025-10-13 9:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
25+
1144+PB
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公司只做原装,详情请咨询
RENESAS
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