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UG2126TB-E3中文资料

厂家型号

UG2126TB-E3

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223.59Kbytes

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11

功能描述

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

数据手册

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生产厂商

RENESAS

UG2126TB-E3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Supply voltage : VDD1, 2, 3 = 3.1 to 4.4 V (3.6 V TYP.)

• Low operation current : IDD1 = 16 mA TYP. @ VDD1 = 3.6 V, f = 925 MHz, Pout = +8 dBm

: IDD2 = 28 mA TYP. @ VDD2, 3 = 3.6 V, f = 1 441 MHz, Pout = +8 dBm

• High power gain : GP1 = 16 dB TYP. @ VDD1 = 3.6 V, f = 925 MHz, Pin = −10 dBm

: GP2 = 26 dB TYP. @ VDD2, 3 = 3.6 V, f = 1 441 MHz, Pin = −22 dBm

• Low distortion : Padj1 = −60 dBc TYP. @ VDD1, 2, 3 = 3.6 V, f = 925 MHz, 1 441 MHz, Pout = +8 dBm,

Δf = ±50 kHz, 21 kHz Bandwidth.

• High-density surface mounting : 6-pin super minimold package (2.0 × 1.25 × 0.9 mm)

更新时间:2025-10-12 16:20:00
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