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RQG2001UR-TL-E中文资料

厂家型号

RQG2001UR-TL-E

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247.17Kbytes

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27

功能描述

NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Medium Power Amplifier

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RQG2001UR-TL-E数据手册规格书PDF详情

Features

• Ideal for 2 GHz Band applications. e.g 2.4 GHz WLAN, Digital cordless phone.

• Low Distortion and Excellent Linearity

IP3 at output = +30 dBm typ., P1dB at output = +19 dBm typ., f = 1.8 GHz

• High Transition Frequency

fT = 20 GHz typ.

• High Collector to Emitter Voltage

VCEO = 5 V

RQG2001UR-TL-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RQG2001UR-TL-E

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Medium Power Amplifier

更新时间:2025-11-26 8:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas
16+
MPAKSC-59
85000
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RENESAS
23+
SOT23MPAK
5000
原装正品,假一罚十
Renesas
24+
SOT-23
3250
原装现货假一赔十
Renesas
MPAKSC-59
85000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
RENESAS
24+
con
35960
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RENESAS
2023+
SOT23
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS
2016+
SOT-23
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RENESAS
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