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RKP201KN数据手册规格书PDF详情
Features
• Adopting the trench structure minimize terminal capacitance. (C = 0.35 pF max)
• Low forward resistance. (rf = 2.0 Ω max)
• Low operation current.
• Ultra small leadless Package (0805type; the use of an undersurface electrode structure) for use in compact and products.
RKP201KN产品属性
- 类型
描述
- 型号
RKP201KN
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon Epitaxial Trench Pin Diode for Antenna Switching
更新时间：2025-5-15 9:18:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
23+ |
MP6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS |
24+ |
MP6 |
10000 |
公司现货 |
|||
RENESAS |
23+ |
SOD-523 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
RENESAS |
23+ |
CMPAK |
57000 |
原装正品现货 |
|||
RENESAS |
24+ |
SOT-323 |
5000 |
全现原装公司现货 |
|||
RENESAS |
24+ |
SOT323-3 |
598000 |
原装现货假一赔十 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-323 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
32670 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SOT23 |
60000 |
全新原装现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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- MGB-033S0FT
- MGB-035S0FT
- MGB-038S0FT
- MGB-248S0FT
- NAND04GR3B4CN1F
- NAND04GW3B4CN1F
- NAND08GR3B4CN1F
- NAND08GW4B2CN1F
- NAND08GW4B4CN1F
- PCM1602AR-S-P6NTSY-SP
- PCM1602AR-T-N6NTSY-SP
- PI74AVC16245K
- PI74FCT373TL
- PI74FCT573T
- PI74FCT573TQ
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
中文资料: 113734条
瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）是一家全球领先的半导体解决方案供应商，总部位于日本东京。公司成立于2002年，由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成，专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案，广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器（MCUs）、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力，提供车载MCU、传感器和网络解决方案，支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构，产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区，致力于为
