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RJU36B1WDPK-M0中文资料

厂家型号

RJU36B1WDPK-M0

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4

功能描述

Dual Diode Ultra Fast Recovery Diode

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJU36B1WDPK-M0数据手册规格书PDF详情

Features

• Ultra fast reverse recovery time: trr = 40 ns typ. (at IF = 10 A, di/dt = 100 A/ μs)

• Low forward voltage: VF = 1.1 V typ. (at IF = 10 A)

• Low reverse current: IR = 1 μA max. (at VR = 360 V)

RJU36B1WDPK-M0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJU36B1WDPK-M0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Dual Diode Ultra Fast Recovery Diode

更新时间:2026-2-28 18:37:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS.瑞萨
原封 MOS TO247 TO220
10500
MOS IGBT 原装现货支持 RENESAS
RENESAS
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6000
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22+
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RENESAS/瑞萨
23+
TO-263
89630
当天发货全新原装现货