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RJQ6008DPM中文资料

厂家型号

RJQ6008DPM

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115.64Kbytes

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9

功能描述

600V - 10A - IGBT and Diode High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJQ6008DPM数据手册规格书PDF详情

Features

• Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 2.65 V typ. (IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

• Built in fast recovery diode in one package

• Trench gate and thin wafer technology

• High speed switching

更新时间:2025-10-11 15:30:00
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